CBRAM 编辑
可编程金属化单元，一种新的非挥发性内存技术，由亚利桑那州立大学开发，这项专利目前已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代闪存。
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可变电阻式内存，是一种新型的非挥发性内存，和另一种新型的磁阻式随机存取内存一起属于新世代的内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。
可变电阻式内存，是一种新型的非挥发性内存，和另一种新型的磁阻式随机存取内存一起属于新世代的内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。