PN结 - The mini wiki

C-V特性曲线是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结或者PN结或者场效应管来得到耗尽层。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。

耗尽层，又称空乏区、阻挡层、势垒区，是指PN结中在漂移速度和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。

小注入是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中，当注入半导体材料的非平衡电子的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入。对于P型半导体，则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下，多数载流子的复合率为线性。

电子学中的接面也称为结，是指多种导体或是半导体有实际接触的部分，可能是一点或是一个面。接面包括有热电效应接面，金属–半导体接面或是Pn结。接面可能是整流器，也可能没有整流功能。没有整流功能的接面称为欧姆接触。有整流接面的电子元件包括有pn二极管、肖特基二极管或是双极性晶体管。

耗尽层，又称空乏区、阻挡层、势垒区，是指PN结中在漂移速度和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。

碲化镉是由碲元素和镉元素组成的晶体化合物。这种半导体可以制造红外光学窗。此外，碲化镉在太阳能电池的制造方面也有广阔的应用前景。在薄膜电池中，碲化镉通常夹在两层硫化镉材料中，这种PN结叫做“P-i-n结构”。

在固体物理学中，载流子的复合指半导体中的载流子成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。

压电光电子效应是利用在压电半导体材料中施加应变所产生的压电电势来控制在金属-半导体接触或者PN结处载流子的产生，传输，分离以及/或者复合，从而提高光电器件的性能。佐治亚理工学院的王中林教授于2010年提出了这种效应的基本原理。