SK海力士半导体公司是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体厂商之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售薄膜晶体管液晶显示器业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。2012年初，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
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高带宽内存是三星电子、超威半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，适用于高内存带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发装置等。首款使用高带宽内存的装置是Radeon Rx 300显示核心。
高带宽内存是三星电子、超威半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，适用于高内存带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发装置等。首款使用高带宽内存的装置是Radeon Rx 300显示核心。
高带宽内存是三星电子、超威半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，适用于高内存带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发装置等。首款使用高带宽内存的装置是Radeon Rx 300显示核心。
忆阻器又名记忆电阻，是一种被动元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器。
目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、HRL实验室。
忆阻器又名记忆电阻，是一种被动元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器。
目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、HRL实验室。
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