互补式金属氧化物半导体 编辑
互补式金属氧化物半导体，是一种积体电路的设计制程，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS和MOSFET的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS。此一般的制程上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字电路、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感器在一些高级数码相机中变得很常见，反而使得CMOS现在主要是感光元件的代名词。
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宾得 K-3是宾得士推出的2400万像素高阶数位单反相机，使用 先进摄影系统C型 尺寸的互补式金属氧化物半导体感光元件。于2013年10月7日发表。
金属半导体场效应管，简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或金属氧化物半导体场效晶体管更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明，其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域，由于数字集成电路的集成度不断提高，因此使用金属半导体场效应管并不如互补式金属氧化物半导体。
金属半导体场效应管，简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或金属氧化物半导体场效晶体管更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明，其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域，由于数字集成电路的集成度不断提高，因此使用金属半导体场效应管并不如互补式金属氧化物半导体。
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