介电质是一种可被电极化的绝缘体。假设将介电质置入外电场，则束缚于其原子或分子的束缚电荷不会流过介电质，只会从原本位置移动微小距离，即正电荷朝着电场方向稍微迁移，而负电荷朝着反方向稍微迁移。这会造成介电质电极化，从而产生反抗电场，减弱介电质内部的电场。假若介电质是由弱键结的分子构成，则这些分子不但会被电极化，也会改变取向，试着将自己的对称轴与电场对齐。
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电子场致发射，也称为场致发射和电子场发射、场发射，是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而，场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的，因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时，它通常表示“冷发射”。
闸极介电层是一种用在场效晶体管的闸道与基底上的介电质。以目前的科技水平，闸极介电层有许多的限制，如：
低介电常数材料是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电质材料的介电系数，可以降低集成电路的渗漏，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料，氧化硅的介电系数约为4。真空的介电系数为1，干燥空气的介电系数接近于1。
铝电解电容器是有极性的电解电容，其阳极电极是由有蚀刻表面的铝箔制成，铝箔透过阳极处理，外围包覆着一层很薄的氧化铝绝缘层，是电容器的介电质。在氧化铝外面包覆着非固态的电解质，是电容器的阴极。另外有一层铝箔，称为“阴极铝箔”。阴极铝箔会和电解质接触，连接到电容器的负极端子。
铝电解电容器是有极性的电解电容，其阳极电极是由有蚀刻表面的铝箔制成，铝箔透过阳极处理，外围包覆着一层很薄的氧化铝绝缘层，是电容器的介电质。在氧化铝外面包覆着非固态的电解质，是电容器的阴极。另外有一层铝箔，称为“阴极铝箔”。阴极铝箔会和电解质接触，连接到电容器的负极端子。
放电加工，是一种借由放电产生火花，使工件成为所需形状的一种制造工艺。介电质液体分隔两电极并施以电压，产生周期性快速变化的电流放电，以加工材料。其中一个电极称为工具电极，或称为极头，另一个电极则称为工件电极，或简单称作工件。在放电加工的过程中，工具电极和工件电极间不会有实际的接触。
冷光镜是一种介质镜及分色滤光器，会反射光谱中所有可见光的频段，并让红外线带宽的光通过。冷光镜类似热反射镜，可以设计在入射角范围介于0度至45度之间，其结构也是多层的介电质薄膜，类似干涉滤光片。冷光镜可以用在激光系统的分色分光镜，反射可见光，让红外线通过。
电子场致发射，也称为场致发射和电子场发射、场发射，是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而，场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的，因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时，它通常表示“冷发射”。
电子场致发射，也称为场致发射和电子场发射、场发射，是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而，场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的，因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时，它通常表示“冷发射”。
椭圆偏振技术是一种多功能和强大的光学技术，可用以取得薄膜的介电质性质。它已被应用在许多不同的领域，从基础研究到工业应用，如半导体物理研究、微电子学和生物学。椭圆偏振是一个很敏感的薄膜性质测量技术，且具有非破坏性和非接触之优点。
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