国际电子元件会议，是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。IEDM将世界上工业界与学界的管理者、工程师和科学家聚在一起讨论奈米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与奈米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。
会议也涵盖硅、化合物、有机半导体半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报。除技术论文简报外，IEDM包含多个全体简报、小组会议、教程、短期课程与由工业界与学界专家所引导的邀请会谈。
非辐射结合生命期是半导体中导带的电子和在电洞非辐射性复合之前，电子可以维持的平均时间。对于需要用辐射性复合来产生光子的光电工程而言，非辐射结合生命期是一项重要的参数。若非辐射结合生命期较辐射结合生命期短很多，此载子的行为比较接近非辐射结合，因此其内在量子效率较低。
光储存系指以光电工程之方法，将资料储存于光学可读的介质上，以进行资料的储存。
国际电子元件会议，是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。IEDM将世界上工业界与学界的管理者、工程师和科学家聚在一起讨论奈米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与奈米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。
会议也涵盖硅、化合物、有机半导体半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报。除技术论文简报外，IEDM包含多个全体简报、小组会议、教程、短期课程与由工业界与学界专家所引导的邀请会谈。
国际电子元件会议，是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。IEDM将世界上工业界与学界的管理者、工程师和科学家聚在一起讨论奈米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与奈米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。
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光储存系指以光电工程之方法，将资料储存于光学可读的介质上，以进行资料的储存。
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