场效应晶体管 编辑
场效应管是一种通过电场效应控制电流的电子元件。
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有机场效晶体管是一种利用有机半导体组成信道的场效应晶体管。OFET的原料分子通常是含有芳环的π电子共轭体系。OFET的制造工艺有小分子在真空中蒸发、聚合物溶液浇注、将原料单晶剥离至基板等方法。OFET的应用目标包括低成本,大面积的电子产品和可生物降解电子设备。研究上设计出了有多种构造形式的OFET,实际应用的器件中最常用的构造是底部栅极、顶部漏极和源极,因为这种构造类似于使用二氧化硅的热生长法作为闸极介电层的薄膜电晶体。有机聚合物,例如聚甲基丙烯酸甲酯也可以被用作电介质。
压电电子效应 是利用压电电势作为“门”电压对电荷载流子的传输特性进行调整和控制,可以用于制备新型的电子器件。压电电子学的基本原理是由佐治亚理工学院的王中林教授在2007年提出来的。
基于这个效应,已经制备了一系列的电子器件,包括压电电场栅控的场效应晶体管, 压电电场控制的二极管, 应变传感器, 力/流量传感器, 混合 场效应晶体管, 压电 逻辑门电路, 机电 存储器, 等等. 压电电子器件被认为是一个新的半导体器件种类。 压电电子学在传感器,人机交互技术,微机电系统,纳米机器人,以及有源柔性电子学等领域都可能具有重大的应用前景。