磊晶，是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长，或指以外延技术成长出的结晶，有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
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薄膜生长模式指的是薄膜在材料表面的外延中不同的生长机制，由恩斯特·鲍尔于1958年系统化地归纳为三大类型：岛状生长模式、层状生长模式和岛状/层状生长模式。
卓以和，籍贯北平市，美国华裔物理学家，电器工程师，分子束外延技术的鼻祖，量子级联激光器的共同发明人，对三五半导体化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
凝聚态物理学实验物理学中的浸润层是指外延成长的衬底表面上最早生长出的二维薄层晶体；这里的外延成长往往和自组装的量子点或薄膜生长有关。组成浸润层的原子既可以是半金属的元素或化合物或金属合金。因为浸润层的生长可以控制量子点的人工原子态，浸润层的概念也常常出现在量子信息与量子计算机领域。
果尚志，台湾凝态物理学家，现任教于国立清华大学物理系，亦兼任中央研究院应科中心主任，是三五半导体、外延的专家。
蓝宝石上的硅是集成电路制造工艺中的一种外延技术，它将一层较薄的硅生长在蓝宝石晶圆上。SOS技术是CMOS技术中SOI的一部分。
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