异质结双极性晶体管 编辑
异质结双极性晶体管是双极性晶体管的一种,它的发射区和基区使用了不同的半导体材料,这样,发射结就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率,可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。
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硅锗,是一种合金,依硅和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路中的半导体材料,可做成异质结双极性晶体管或CMOS晶体管中的应变诱发层。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术,这一新技术使混合讯号积体电路和模拟集成电路的设计与生产多了一项选择。