掺杂是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂或掺杂物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。
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一块半导体晶体一侧掺杂成p型半导体，另一侧掺杂成n型半导体，中间二者相连的接面间有一个过渡层，称为pn结、p-n结、pn接面。pn结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
。是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂，因而它表现得更接近金属。
，或称转移电子器件是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻效应，或称负微分电阻。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
硫酸锑是锑元素的硫酸盐，化学式为Sb23。这种吸湿性的物质可由金属锑或锑化合物与热的硫酸反应制得。它用于半导体的掺杂和爆炸物及烟火的生产。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
，或称转移电子器件是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻效应，或称负微分电阻。
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