斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长 编辑
斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长，是薄膜在结晶表面磊晶成长的薄膜生长模式之一。此生长机制包含两个过程：首先在基板上吸附成薄膜并开始层状累积，达到临界厚度时，会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式 。S-K生长最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年发现。直到1958年，S-K生长模式、Volmer-Weber生长模式和Frank–van der Merwe生长模式才被恩斯特·鲍尔在他的著作中正式归类为薄膜成长的三大主要机制。
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伊万·尼科洛夫·斯特兰斯基，是一名保加利亚物理化学，被认为是晶体生长的研究之父。 他创办了保加利亚物理化学学校，曾担任索非亚大学和柏林工业大学的物理化学系主任、以及柏林工业大学校长。斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长和科塞尔－斯特兰斯基模型均以其名字命名。