有机金属化学气相沉积 编辑
有机金属化学气相沉积法，是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。其他类似的名称如：、及等等，其中的前两个字母 或是 ，指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源为金属化合物 或是有机金属化合物。而后面三个字母 或是 ，指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言， 所指的是非晶形薄膜的成长，这种成长方式归类于 "沉积"；而所指的是具有晶形的薄膜成长方式，这种方式归类于"磊晶"。
1