有机金属化学气相沉积法 编辑
有机金属化学气相沉积法,是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。其他类似的名称如:、及等等,其中的前两个字母 或是 ,指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源为金属化合物 或是有机金属化合物。而后面三个字母 或是 ,指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言, 所指的是非晶形薄膜的成长,这种成长方式归类于 "沉积";而所指的是具有晶形的薄膜成长方式,这种方式归类于"磊晶"。
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多结光伏电池是一种高效率的太阳能电池。每个电池有多个采用分子束外延或有机金属化学气相沉积法生成的薄膜。这些薄膜所构成的不同的半导体有不同的特征能隙,而这些能隙可以吸收光谱中特定频率的电磁波能量。生成的半导体被特别的设计能吸收太阳光中的大部分频率的光,以此来生成更多的能量。
氮化铝铟镓的化学式是铟镓铝氮,是以氮化镓为基础的半导体,常用磊晶成长的方式制成,像是有机金属化学气相沉积法、分子束外延、脉冲激光沉积等方式。此材料用在特别的光电应用中,像是蓝光激光LED及蓝光LED等。
氧化铊,又称氧化高铊是一种由铊和氧组成的化合物。 它存在于自然界中,以稀有矿物褐铊矿的形式存在。 它的结构类似 Mn2O3 ,有着方铁锰矿的结构 。Tl2O3 是具有高电导率的金属性物质,并且是一种 n型半导体,可能在太阳能电池中具有潜在的用途。
一种生产 Tl2O3 的有机金属化学气相沉积法是已知的。 氧化铊的任何实际使用都必须始终考虑到铊的有毒性质。氧化铊与水和酸接触都会形成有毒的铊化合物。
硒化铟是铟的一种硒化物。它有潜力用于光伏器件,并且得到了广泛的研究。硒化铟的两种最常见的晶型——α型和β型,有着层状结构,而γ型具有缺陷的纤维锌矿结构。至今,一共发现了硒化铟的五种相态。 伴随着电导率的变化,会产生α- β 相态的相变。γ-In2Se3 的能隙大约为 1.9 电子伏特。
硒化铟的晶体结构取决于制备方法,例如γ-In2Se3 可以由三甲基铟和硒化氢通过有机金属化学气相沉积法制备而成。
异丁基锗烷是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体,用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中,异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜。它还用于制备闪存中的GeSbTe。
乙酰丙酮钡是一种化合物,化学式为Ba2,它可由氢氧化钡和乙酰丙酮在无水乙醇中反应制得。它可用作有机金属化学气相沉积法的钡源,如用于制备钛酸钡薄膜。
爱思强,Aixtron AG,以德国为基地的国际上市公司,主要制造半导体工业设备,在有机金属化学气相沉积法、发光二极管等生产设备领域富有专长。
乙酰丙酮钡是一种化合物,化学式为Ba2,它可由氢氧化钡和乙酰丙酮在无水乙醇中反应制得。它可用作有机金属化学气相沉积法的钡源,如用于制备钛酸钡薄膜。
六氟乙酰丙酮是一种有机化合物,化学式为CF3CCH2CCF3,可简写为hfacH。它是无色液体,可作为配体并用于有机金属化学气相沉积法。它只以烯醇的形式存在,而相应的乙酰丙酮仅含85%的烯醇异构。相比乙酰丙酮金属配合物,六氟乙酰丙酮和金属形成的配合物有较高的挥发性和路易斯酸性。由于它是强亲电试剂,它在水中可以形成四醇。
氧化铊,又称氧化高铊是一种由铊和氧组成的化合物。 它存在于自然界中,以稀有矿物褐铊矿的形式存在。 它的结构类似 Mn2O3 ,有着方铁锰矿的结构 。Tl2O3 是具有高电导率的金属性物质,并且是一种 n型半导体,可能在太阳能电池中具有潜在的用途。
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