中子俘获是一种原子核与一个或者多个中子撞击，形成重核的核反应。由于中子不带电荷，它们能够比带一个正电荷的质子更加容易地进入原子核。
下夸克是一种基本粒子。在所有的夸克中，下夸克是质量第二小的夸克，只比上夸克的质量大。组成原子核的中子与质子都是由下夸克与上夸克共同形成。下夸克属于代，电荷为−1/3基本电荷，夸克为7000480000000000000♠4.8+0.5−0.3 电子伏特。和所有夸克一样，下夸克是一种费米子，自旋为1/2，且可以感受到所有四种基础作用：引力相互作用、电磁相互作用、强相互作用与弱相互作用。下夸克的反粒子是反下夸克。下夸克带有负电荷，反下夸克带有正电荷。
离子键又被称为盐键，是化学键的一种，通过两个或多个原子或化学基团失去或获得电子而成为离子后形成。带相反电荷的原子或基团之间存在静电吸引力，两个带相反电荷的原子或基团靠近时，周围水分子被释放为自由水中，带负电荷和带正电荷的原子或基团之间产生的静电吸引力以形成离子键。是离子化合物中发生的主要相互作用。它是与共价键和金属键一起的主要键合类型之一。
马克士威方程组，或称马克士威-黑维塞方程组，是一组描述电场、磁场与电荷密度、电流密度之间关系的偏微分方程。该方程组由四个方程式组成，分别是描述电荷如何产生电场的高斯定律、表明磁单极子不存在的高斯磁定律、解释时变磁场如何产生电场的法拉第感应定律，以及说明电流和时变电场怎样产生磁场的安培定律。马克士威方程组是因英国物理学家詹姆斯·马克士威而命名。马克士威在19世纪60年代构想出这方程组的早期形式。
静磁学是电磁学的分支，专门研究电流稳定的系统内磁场。在静电学中，电荷是稳定不变的；在这里，电流是稳定不变的。磁化强度不需要是静态的；静磁学的方程可以用于预测在纳秒或更小时间尺度内发生的快速反磁化事件。 事实上即使电流不是静态，只要电流交替不迅速，静磁学是一个良好的近似。静磁学广泛应用于微磁学，例如磁储存设备的模型。
纳米技术是一门应用科学，其目的在于研究于纳米规模时，物质和设备的设计方法、组成、特性以及应用。奈米科技是许多如生物、物理、化学等科学领域在技术上的次级分类，美国国家奈米科技启动计划将其定义为“1至100纳米尺寸尤其是现存科技在纳米规模时的延伸”。纳米科技的世界为原子、分子、高分子、量子点集合，并且被表面效应所掌控，如范德瓦耳斯力、氢键、电荷、离子键、共价键、疏水性、亲水性和量子穿隧效应等，而惯性和湍流等巨观效应则小得可以被忽略掉。举个例子，当表面积对体积的比例剧烈地增大时，开起了如催化等以表面为主的科学新的可能性。
电是静止或移动的电荷所产生的物理现象，具有能量，是自然界四种基本相互作用之一。在大自然里，电的机制给出了很多众所熟知的效应，例如闪电、摩擦起电效应、静电感应，其他还有放电、电热等电现象。
动态随机存取存储器是一种半导体内存，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”内存。相对来说，静态内存只要存入数据后，即使不刷新也不会遗失记忆。
动态随机存取存储器是一种半导体内存，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”内存。相对来说，静态内存只要存入数据后，即使不刷新也不会遗失记忆。
流量，指计量单位时间内流过特定截面的流体或电荷的量；流体的量为体积或质量，电荷的量为库仑。
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