直接带隙半导体 编辑
直接带隙是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应同一个k值的能带结构，具有这种结构的半导体称为直接跃迁型半导体。直接带隙结构中，电子由价带顶跃迁至导带底时保持k不变，并吸收光子。
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硒化铅是铅的硒化物，化学式为PbSe，它是一种半导体材料，是具有氯化钠结构的立方晶系。它的直接带隙半导体在室温下为0.27 eV。
氮化镓是氮和镓的化合物，是一种硼族元素和氮族元素的直接带隙半导体的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光的条件下，产生紫光激光。
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