磊晶成长 编辑
磊晶,是指一种用于半导体器件制造过程中,在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长,或指以外延技术成长出的结晶,有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
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氮化铝铟镓的化学式是铟镓铝氮,是以氮化镓为基础的半导体,常用磊晶成长的方式制成,像是有机金属化学气相沉积法、分子束外延、脉冲激光沉积等方式。此材料用在特别的光电应用中,像是蓝光激光LED及蓝光LED等。
氮化铝铟镓的化学式是铟镓铝氮,是以氮化镓为基础的半导体,常用磊晶成长的方式制成,像是有机金属化学气相沉积法、分子束外延、脉冲激光沉积等方式。此材料用在特别的光电应用中,像是蓝光激光LED及蓝光LED等。