热载流子注入是固态电子器件中发生一个现象，当电子或空穴获得足够的动能后，它们就能够突破有限位势垒的约束。这里“热”这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度，而非器件本身的温度。由于载流子被束缚在金属氧化物半导体场效晶体管的栅极电介质层中，晶体管的开关性能可以被永久地改变，热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制
金属氧化物半导体场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
金属氧化物半导体场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
本征半导体又称本质半导体、无杂质半导体、纯半导体、I型半导体，是指没有外掺杂且晶格完整的晶体半导体，其参与导电的自由电子和空穴的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。
热载流子注入是固态电子器件中发生一个现象，当电子或空穴获得足够的动能后，它们就能够突破有限位势垒的约束。这里“热”这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度，而非器件本身的温度。由于载流子被束缚在金属氧化物半导体场效晶体管的栅极电介质层中，晶体管的开关性能可以被永久地改变，热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制
电子迁移率是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率。人们常用载流子迁移率来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。
本征半导体又称本质半导体、无杂质半导体、纯半导体、I型半导体，是指没有外掺杂且晶格完整的晶体半导体，其参与导电的自由电子和空穴的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。
本征半导体又称本质半导体、无杂质半导体、纯半导体、I型半导体，是指没有外掺杂且晶格完整的晶体半导体，其参与导电的自由电子和空穴的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。
当有能量大于禁带宽度的光子照射到半导体表面时，满带中的电子吸收这个能量，跃迁到导带产生一个自由电子和自由空穴，这一过程称为本征激发。
金属氧化物半导体场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
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