耗尽层 编辑
耗尽层，又称空乏区、阻挡层、势垒区，是指PN结中在漂移速度和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。
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C-V特性曲线是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结或者PN结或者场效应管来得到耗尽层。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。
饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层的扩散引起的那部分反向电流。反向饱和电流几乎不受反向电压的影响。
肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。
暗电流是物理及电子工程的名词，是指当没有光子通过光感测器时，元件上仍然会产生的微小电流。在非光学元件中称为PN接面时的漏电流，在所有二极管中都存在。暗电流是因为元件中耗尽层中电子及电洞的随机产生所造成。
PIN型二极管，又称移相开关二极管，和普通的二层结构的PN结二极管相比，PIN型二极管引入了I层：即在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。由于I层的存在，PIN型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的接面电阻和更小的接面电容。在射频与微波级别的电路中，PIN型二极管经常被用作微波开关、移相器和衰减器。
肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。
肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。
肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。
PIN型二极管，又称移相开关二极管，和普通的二层结构的PN结二极管相比，PIN型二极管引入了I层：即在普通PN结二极管的由P型半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体材料组成。由于I层的存在，PIN型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的接面电阻和更小的接面电容。在射频与微波级别的电路中，PIN型二极管经常被用作微波开关、移相器和衰减器。