FinFET 编辑
FinFET,中文名有时称为鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管,可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管,属于多闸极晶体管。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。
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5纳米制程是半导体制造制程的一个水准。在半导体器件制造中,《国际器件和系统路线图》将5纳米工艺定义为继7纳米之后金属氧化物半导体场效晶体管的又一技术节点。商用5纳米制程基于具有FinFET的多闸极晶体管技术,还有已得到证明的5纳米多闸极晶体管技术,但尚未商业化。2020年9月15日,由台积电制造的Apple A14成为首个公开发表的5纳米制程芯片。
5纳米制程是半导体制造制程的一个水准。在半导体器件制造中,《国际器件和系统路线图》将5纳米工艺定义为继7纳米之后金属氧化物半导体场效晶体管的又一技术节点。商用5纳米制程基于具有FinFET的多闸极晶体管技术,还有已得到证明的5纳米多闸极晶体管技术,但尚未商业化。2020年9月15日,由台积电制造的Apple A14成为首个公开发表的5纳米制程芯片。