多闸极晶体管是指集合了多个闸极于一体的金属氧化物半导体场效晶体管。它可以用一个电极来同时控制多个闸极，亦可用多个电极单独控制各闸极。后者有时又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor。多闸极晶体管被提出为的是克服半导体工业里摩尔定律发展至今体积的缩小已经到达物理极限的难题。
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5纳米制程是半导体制造制程的一个水准。在半导体器件制造中，《国际器件和系统路线图》将5纳米工艺定义为继7纳米之后金属氧化物半导体场效晶体管的又一技术节点。商用5纳米制程基于具有FinFET的多闸极晶体管技术，还有已得到证明的5纳米多闸极晶体管技术，但尚未商业化。2020年9月15日，由台积电制造的Apple A14成为首个公开发表的5纳米制程芯片。
FinFET，中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，属于多闸极晶体管。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。
FinFET，中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，属于多闸极晶体管。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。
NVIDIA GeForce 10系列是英伟达研发并推出的图形处理器系列，被用以取代NVIDIA GeForce 900图形处理器。该系列采用帕斯卡来代替之前的麦克斯韦微架构，并采用台湾积体电路制造公司的16奈米及Samsung的14纳米鳍式多闸极晶体管工艺来制造。
NVIDIA GeForce 10系列是英伟达研发并推出的图形处理器系列，被用以取代NVIDIA GeForce 900图形处理器。该系列采用帕斯卡来代替之前的麦克斯韦微架构，并采用台湾积体电路制造公司的16奈米及Samsung的14纳米鳍式多闸极晶体管工艺来制造。
AMD Radeon 400系列显示核心，是AMD所推出的图形处理器系列，开发代号为“Polaris”，以三星14nm 多闸极晶体管制程，仍基于GCN架构改造而来，仍继续采用GDDR5显示内存。AMD于2016年的台北国际电脑展发表核心代号为“Polaris 10”的首款显卡 Radeon RX 480，作为主流级应用，这是AMD自Radeon HD 4000以来再次首先发布中高阶级别的GPU。竞争对手为NVIDIA的GeForce 10系列。开发代号为“Vega”的GPU预估将搭载HBM2显示内存，并以Radeon 500系列之顶级型号面市。
NVIDIA GeForce 10系列是英伟达研发并推出的图形处理器系列，被用以取代NVIDIA GeForce 900图形处理器。该系列采用帕斯卡来代替之前的麦克斯韦微架构，并采用台湾积体电路制造公司的16奈米及Samsung的14纳米鳍式多闸极晶体管工艺来制造。
NVIDIA GeForce 10系列是英伟达研发并推出的图形处理器系列，被用以取代NVIDIA GeForce 900图形处理器。该系列采用帕斯卡来代替之前的麦克斯韦微架构，并采用台湾积体电路制造公司的16奈米及Samsung的14纳米鳍式多闸极晶体管工艺来制造。
NVIDIA GeForce 10系列是英伟达研发并推出的图形处理器系列，被用以取代NVIDIA GeForce 900图形处理器。该系列采用帕斯卡来代替之前的麦克斯韦微架构，并采用台湾积体电路制造公司的16奈米及Samsung的14纳米鳍式多闸极晶体管工艺来制造。
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