半导体制程是被用于制造芯片，一种日常使用的电气和电子器件中集成电路的处理工艺。它是一系列照相和化学处理步骤，在其中电子电路逐渐形成在使用纯半导体材料制作的芯片上。硅是今天最常用的半导体材料，其他还有各种化合物半导体材料。从一开始晶圆加工，到芯片封装测试，直到出货，通常需要6到8周，并且是在晶圆厂内完成。
金属半导体场效应管，简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或金属氧化物半导体场效晶体管更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明，其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域，由于数字集成电路的集成度不断提高，因此使用金属半导体场效应管并不如互补式金属氧化物半导体。
砷化镓是镓和砷两种化学元素所合成的化合物，也是重要的硼族元素、氮族元素化合物半导体材料，用来制作微波积体电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。
卓以和，籍贯北平市，美国华裔物理学家，电器工程师，分子束外延技术的鼻祖，量子级联激光器的共同发明人，对三五半导体化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
半导体制程是被用于制造芯片，一种日常使用的电气和电子器件中集成电路的处理工艺。它是一系列照相和化学处理步骤，在其中电子电路逐渐形成在使用纯半导体材料制作的芯片上。硅是今天最常用的半导体材料，其他还有各种化合物半导体材料。从一开始晶圆加工，到芯片封装测试，直到出货，通常需要6到8周，并且是在晶圆厂内完成。
半导体制程是被用于制造芯片，一种日常使用的电气和电子器件中集成电路的处理工艺。它是一系列照相和化学处理步骤，在其中电子电路逐渐形成在使用纯半导体材料制作的芯片上。硅是今天最常用的半导体材料，其他还有各种化合物半导体材料。从一开始晶圆加工，到芯片封装测试，直到出货，通常需要6到8周，并且是在晶圆厂内完成。
硫化镉是硫和镉的无机化合物，化学式为CdS。它是一种N型光电导半导体材料。属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。分子量144.476,属六方晶格结构，晶格常数5.86×10-10m,熔点1750℃，禁带宽度2.41电子伏,电子和空穴的迁移率分别为2×10-2和2×10-3米2/伏·秒，相对介电常数11.6。硫化镉是一种黄色固体，几乎不溶于水，普遍在闪锌矿和纤锌矿杂质中发现，这亦是镉的主要来源。作为一种化合物，易于分离纯化。
半导体制程是被用于制造芯片，一种日常使用的电气和电子器件中集成电路的处理工艺。它是一系列照相和化学处理步骤，在其中电子电路逐渐形成在使用纯半导体材料制作的芯片上。硅是今天最常用的半导体材料，其他还有各种化合物半导体材料。从一开始晶圆加工，到芯片封装测试，直到出货，通常需要6到8周，并且是在晶圆厂内完成。
高电子迁移率晶体晶体管，也称调制掺杂场效应管是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质PN结，为载流子提供通道，而不像金属氧化物半导体场效晶体管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。
金属半导体场效应管，简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成，例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等，它的速度比由硅制造的结型场效应管或金属氧化物半导体场效晶体管更快，但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右，在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明，其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域，由于数字集成电路的集成度不断提高，因此使用金属半导体场效应管并不如互补式金属氧化物半导体。
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