砷化镓 编辑
砷化镓是两种化学元素所合成的化合物,也是重要的硼族元素氮族元素化合物半导体材料,用来制作微波积体电路红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。
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半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间,这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓,并经过各式特定的渗杂,产生P型或N型半导体,作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。
金属半导体场效应管,简称金半场效应管,是一种在结构上与结型场效应管类似,不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属、半导体接触结,构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成,例如砷化镓、磷化铟、碳化硅等,它的速度比由硅制造的结型场效应管或金属氧化物半导体场效晶体管更快,但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右,在微波频段的通信、雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明,其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。在数字电路设计领域,由于数字集成电路的集成度不断提高,因此使用金属半导体场效应管并不如互补式金属氧化物半导体。
半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间,这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓,并经过各式特定的渗杂,产生P型或N型半导体,作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。
异质结又称异质接面,是一种半导体的特殊pn结,由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成,这些材料具有不同的能隙,它们可以是砷化镓之类的化合物,也可以是硅-锗之类的半导体合金。
希望一号卫星,国际编号HO-68,是中国第一颗业余无线电通信卫星,也是中国第一颗科普卫星,发射于2009年12月15日。“希望一号”卫星的有效载荷包括一台遥测信标机和三台业余无线电通信转发器,三台转发器分别工作在调频中继模式、线性转发模式和数据存储转发模式。卫星还携带有一台微型彩色宽视场CMOS摄像机和一个青少年科学实验装置。“希望一号”卫星采用非等边八边形立柱构形,星体结构由铝合金框架、承力板以及整星蒙皮构成,卫星采用被动热控方式,电源由体装砷化镓太阳电池阵和锂离子电池联合供电。卫星质量约60千克,星体高480毫米、包络直径680毫米。卫星运行在高度为1200公里的太阳同步轨道,轨道倾角105°,运行周期109分钟。
电致发光亦称电场发光,是指电流通过物质时或物质处于强电场下发光的现象,在消费品生产中有时被称为冷光。电致发光物料有:掺杂了铜和银的硫化锌、蓝色钻石、砷化镓等。目前电致发光的研究方向主要为有机材料的应用,已有的应用为电致发光显示器。
砷化硼是一个由砷和硼构成的化合物。砷化硼是一个立方硫化锌型半导体,晶格常数为0.4777纳米,间接能带隙为1.5电子伏特。能与砷化镓形成合金。
砷化物是含有负三价砷离子的化合物,一般由金属与砷反应生成,易被水或酸分解而产生砷化氢。常见的砷化物有砷化镓、砷化铂等。
泡克耳斯效应是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射,这是一种线性电-光效应,其折射率的变化和所加电场的大小成正比。德国物理学家弗里德里斯·泡克耳斯于1893年研究发现的。但这种效应只存在缺少点反演的晶体中,例如铌酸锂,钽酸锂,硼酸钡,和砷化镓等,或存在其它非中心对称的介质,例如在电场极化高分子和玻璃中出现。电场极化高分子中含有特别设计的有机分子,它们具有比高非线性晶体高10倍的非线系数。
在化学中,光触媒又称光催化,是指光化学在催化剂的作用下加速的过程。能够加速光化学反应的催化剂则被称为光催化剂。常用的光催化剂有磷化镓、砷化镓等等。最广泛使用的是二氧化钛,它能靠光的能量来进行消毒、杀菌。