导带 编辑
导带,又名传导带,是指半导体或是绝缘体材料中,一种电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带,而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
1
相关
电子场致发射,也称为场致发射和电子场发射、场发射,是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而,场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的,因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时,它通常表示“冷发射”。
非辐射结合生命期是半导体中导带的电子和在电洞非辐射性复合之前,电子可以维持的平均时间。对于需要用辐射性复合来产生光子的光电工程而言,非辐射结合生命期是一项重要的参数。若非辐射结合生命期较辐射结合生命期短很多,此载子的行为比较接近非辐射结合,因此其内在量子效率较低。
当有能量大于禁带宽度的光子照射到半导体表面时,满带中的电子吸收这个能量,跃迁到导带产生一个自由电子和自由空穴,这一过程称为本征激发。
电子场致发射,也称为场致发射和电子场发射、场发射,是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而,场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的,因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时,它通常表示“冷发射”。
半金属是指导带和价带之间相隔很窄的材料。根据能带理论,固体根据这个间隔从窄到宽,可以依次分为金属、半金属、半导体和绝缘体。对于半导体和绝缘体,导带和价带之间的间隔相对较大,使得费米能级附近电子的态密度等于零,成为带隙。其中绝缘体的带隙比半导体的大,但具体的分界线比较模糊。而对于半金属,导带和价带之间的间隔十分小,使得费米能级附近电子的态密度接近于零但不为零,因此也没有带隙。金属的费米能级则在导带当中,附近有足够大的电子态密度,使得电流可以良好地传导。
电子场致发射,也称为场致发射和电子场发射、场发射,是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而,场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的,因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时,它通常表示“冷发射”。
一硫化钪是钪的硫化物之一,化学式为ScS。它是一种拟离子化合物,包含[Sc][S]以及固体导带上占据的一个电子。
K·p微扰论又名K·p微扰法,是固体物理中用来计算固体能带结构和光学性质的一种微扰论,因微扰哈密顿算符中出现了正比于简约波矢与动量算符内积的项而得名。该方法可以近似估计半导体中的电子在导带底的有效质量。
K·p微扰论又名K·p微扰法,是固体物理中用来计算固体能带结构和光学性质的一种微扰论,因微扰哈密顿算符中出现了正比于简约波矢与动量算符内积的项而得名。该方法可以近似估计半导体中的电子在导带底的有效质量。