电导体为能够让电流通过的材料，依其导电性，能够细分为超导体、导体、半导体及绝缘体。电导体常简称导体，但事实上，导体还分为：电导体、热导体、光导体这些类别。
半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。
整流子，又称为换向器，是直流电动机、直流发电机和交流整流子电动机之电枢上的一个重要部件。整流子是由许多铜片组成圆筒形或盘形结构，铜片之间由云母或其他绝缘体隔绝缘，每一铜片均与电枢电感元件相连接，当电机的电枢转动时铜片相继同固定的碳刷相接触。在直流发电机中，整流子将电枢绕组内的交流电变为电刷间的直流电。每个电枢绕组元件两端连接的换向片经过碳刷时，这一电流改变方向或改变大小的过程，称为换向。在换向过程中，如果碳刷与整流子表面接触不良，碳刷和换向片的接触面上可能出现火花，甚至发生环火现象引起绕组的烧损。在交流整流子电动机中，整流子的作用是使电刷间交流电的频率符合工作要求。
电子场致发射，也称为场致发射和电子场发射、场发射，是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而，场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的，因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时，它通常表示“冷发射”。
半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。
介电质是一种可被电极化的绝缘体。假设将介电质置入外电场，则束缚于其原子或分子的束缚电荷不会流过介电质，只会从原本位置移动微小距离，即正电荷朝着电场方向稍微迁移，而负电荷朝着反方向稍微迁移。这会造成介电质电极化，从而产生反抗电场，减弱介电质内部的电场。假若介电质是由弱键结的分子构成，则这些分子不但会被电极化，也会改变取向，试着将自己的对称轴与电场对齐。
电导体为能够让电流通过的材料，依其导电性，能够细分为超导体、导体、半导体及绝缘体。电导体常简称导体，但事实上，导体还分为：电导体、热导体、光导体这些类别。
能斯特发光体是一种旧式的白炽灯，它由瓦尔特·能斯特发明，可以提供光谱学所需的红外线连续光谱。能斯特发光体的外型通常被制造成圆柱体棒状或管状，由二氧化锆、氧化钇、氧化铒三种化合物混合而成的氧化物混合物大概重量以90:7:3的比例制作。能斯特发光体须以电力加热至2000 °C始得运作，且加热过程刚开始需要外部热源加热，不能直接通电产生电流热效应，因为在室温下这种材料是绝缘体。
SOI全名为Silicon On Insulator，是指硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉，并减少电流漏电成为省电的IC，在制程上还可以省略部分光罩以节省成本，因此不论在制程上或是电路上都有其优势。此外，在SOI晶圆本身基板的阻抗值的部分也会影响到元件的表现，因此后来也有公司在基板上进行阻抗值的调整，达到射频元件特性的提升。原本应通过交换器的电子，有些会钻入硅中造成浪费；SOI可防止电子流失，与补强一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺点。摩托罗拉宣称中央处理器可因此提升时脉20%，并减低耗电30%。除此之外，还可以减少一些有害的电气效应。还有一点，可以说是很多超频玩家所感兴趣的，那就是它的工作温度可高达300°C，减少过热的问题。
神经是在周围神经系统中由聚集成束的神经纤维所组成的结构，一条神经内可包含一个或多个神经纤维束，神经外部有神经外膜包裹、内部有神经束膜隔开各纤维束。 神经纤维本身是指神经元的轴突，轴突外被神经胶质细胞所形成的髓鞘包覆、起到保护和绝缘体等作用。 因此神经能将讯息准确从动物身体一处传递到另外一处，使动物能协调指挥动作与进行各种工作。 按照结构和功能，神经可分为传入神经、传出神经以及混合神经。 按照位置，人体的神经可分脑神经和脊神经。
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