拉撒路效应 编辑
拉撒路效应：半导体探测器在高能粒子等辐射环境下应用时，体内产生许多间隙原子和空位；由于它们捕获信号中的电子和空穴过多而不能使用。但约在-143摄氏度下，又能重新恢复性能和应用。这种现象，称为拉撒路效应。这种效应是1997年瑞士伯尔尼大学的维托里奥·帕尔迈和库尔特·波莱等人发现的。他们对这效应还做了如下的解析：
1