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栅氧化层
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栅氧化层,是用来把
金属氧化物半导体场效晶体管
栅极与下方源极、漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层。通过将沟道上方的
硅
氧化为
二氧化硅
,栅氧化层得以形成,其厚度大约为5到200
纳米
,这层物质为
绝缘体
。栅氧化层上方为导电的栅极材料。栅氧化层充当了介质层,使得栅极能够维持1到5毫伏每立方米的纵向
电场
,这个电场可以用来控制下方沟道的导通和关断。
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