浮栅 编辑
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管是一种场效应管，其结构类似传统的金属氧化物半导体场效晶体管 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用场致发射和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
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