电子场致发射，也称为场致发射和电子场发射、场发射，是由电场引起的电子发射。最常见的情况是从固体表面到真空的场致发射。然而，场发射可以从固体或液体表面、真空、流体或任何绝缘体或弱导电介电质中发生。电子从半导体的化合价带到导带的场致促进也可以看作是场发射的一种形式。该术语的使用是具有历史意义的，因为表面光效应、热发射和“冷电子发射”的相关现象是在 1880 年代到 1930 年代被独立发现和研究的。不带限定词地使用场致发射这个词时，它通常表示“冷发射”。
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浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管是一种场效应管，其结构类似传统的金属氧化物半导体场效晶体管 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用场致发射和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管是一种场效应管，其结构类似传统的金属氧化物半导体场效晶体管 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用场致发射和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管是一种场效应管，其结构类似传统的金属氧化物半导体场效晶体管 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用场致发射和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
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