浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管是一种场效应管，其结构类似传统的金属氧化物半导体场效晶体管 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用场致发射和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。
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半导体存储器是一种用于数字数据存储的数字电路半导体器件，例如电脑内存。数据会存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体场效晶体管存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常见的随机存取存储器中其中一个是静态随机存取存储器，它在每个存储单元使用多个金属氧化物半导体场效晶体管，另一个是动态随机存取存储器，每个单元使用一个MOS晶体管和一个金属氧化物半导体场效晶体管。非挥发性内存使用浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管存储单元，每个单元由一个浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机存取的特性。
可擦除可编程只读存储器，由以色列工程师英语：发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非挥发性内存的。它是一组浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦资料写入完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。
可擦除可编程只读存储器，由以色列工程师英语：发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非挥发性内存的。它是一组浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦资料写入完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。
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