相变化内存 编辑
相变化内存，又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成，目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
它是未来可能取代闪存的技术之一。
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可变电阻式内存，是一种新型的非挥发性内存，和另一种新型的磁阻式随机存取内存一起属于新世代的内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。
3D XPoint是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非挥发性内存技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相变化内存的技术，但也有其他可能性被提出。
可变电阻式内存，是一种新型的非挥发性内存，和另一种新型的磁阻式随机存取内存一起属于新世代的内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。
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