相变化内存,又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
它是未来可能取代闪存的技术之一。
相变化内存,又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
它是未来可能取代闪存的技术之一。
相变化内存,又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
它是未来可能取代闪存的技术之一。