硫族化物 编辑
硫族化物或硫属化物是指至少含有一个硫族元素离子及一个电负性较小元素的化合物。一般硫族元素是指𫟷等元素,而电负性较小元素一般是指等元素。
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相变化内存,又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
它是未来可能取代闪存的技术之一。
相变化内存,又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体或非晶体。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。
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