磊晶 编辑
磊晶，是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长，或指以外延技术成长出的结晶，有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
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斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长，是薄膜在结晶表面磊晶成长的薄膜生长模式之一。此生长机制包含两个过程：首先在基板上吸附成薄膜并开始层状累积，达到临界厚度时，会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式 。S-K生长最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年发现。直到1958年，S-K生长模式、Volmer-Weber生长模式和Frank–van der Merwe生长模式才被恩斯特·鲍尔在他的著作中正式归类为薄膜成长的三大主要机制。
汉磊先进投资控股股份有限公司，业务范围涵盖功率半导体、类比积体电路的磊晶及晶圆代工两大类别。总公司位于台湾新竹市新竹科学工业园区。
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