静态随机存取存储器

零电容随机存储器是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技术的浮体效应研发的。该技术已经被超微半导体许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。

磁阻式随机存取内存，是一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近静态随机存取存储器，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。它目前由Everspin公司生产，其他公司，包括格罗方德和三星集团已经宣布产品计划。

半导体存储器是一种用于数字数据存储的数字电路半导体器件，例如电脑内存。数据会存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体场效晶体管存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常见的随机存取存储器中其中一个是静态随机存取存储器，它在每个存储单元使用多个金属氧化物半导体场效晶体管，另一个是动态随机存取存储器，每个单元使用一个MOS晶体管和一个金属氧化物半导体场效晶体管。非挥发性内存使用浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管存储单元，每个单元由一个浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机存取的特性。

1988年内存芯片短缺是1988年电子工业界以美国为首出现的一次严重随机存取存储器集成电路短缺问题。短缺的芯片以动态随机存取存储器为主，256KbDRAM芯片的价格从1987年初的2美元上涨到最高10-12美元的现货市场价。1Mb芯片从9-10美元上涨到最高40美元。短缺广泛影响了整个计算机行业，使计算机整机与内存模块价格大幅上涨，计算机供货期明显延长，一些公司还被迫推迟了新产品的发布。受本次短缺波及的公司包括了所有主要的计算机厂商，不限于惠普、康柏、虹志电脑、苹果、太阳微系统、硅谷图形公司、DEC等。除了动态内存之外，静态随机存取存储器芯片也受波及，影响了任天堂与世嘉等电子游戏公司。任天堂游戏《塞尔达传说2：林克的冒险》因卡带SRAM芯片短缺而推迟上市。受短缺影响，日立制作所、富士通和三菱电机等日本半导体厂商取消假期，员工加班加点工作。

磁阻式随机存取内存，是一种非易失性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近静态随机存取存储器，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存。它目前由Everspin公司生产，其他公司，包括格罗方德和三星集团已经宣布产品计划。

高速缓存原始意义是指存取速度比一般随机存取内存快的一种RAM，通常它不像系统主内存那样使用DRAM技术，而使用昂贵但较快速的静态随机存取存储器技术。