碲化铋是一种灰色的粉末，分子式为Bi2Te3。碲化铋是个半导体暨热电材料，具有较好的导电性，但导热性较差。它是一种半导体，它与锑或硒合金是高效率的热电材料，用于制冷或便携式发电。拓扑绝缘体表面态已在碲化铋被观察到。
非晶硅，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性将会显著衰退，这种特性被称为SWE效应。
铱酸锂是一种无机化合物，化学式为Li2IrO3。它是黑色晶体，可以形成三种层状结构，α型、β型和γ型，仅略微不同。它表现出类金属的导电性，其导电性和温度有关，冷却至15 K时顺序从顺磁性改变为反铁磁性。
二硒化钼是一种无机化合物，化学式为MoSe2。它的结构和二硫化钼相似。这一类化合物被称作过渡金属二硫属化物，简称TMDCs，即过渡金属与元素周期表上第16族的元素形成的化合物。相比于MoS2，MoSe2展现出更好的导电性。
铱酸锂是一种无机化合物，化学式为Li2IrO3。它是黑色晶体，可以形成三种层状结构，α型、β型和γ型，仅略微不同。它表现出类金属的导电性，其导电性和温度有关，冷却至15 K时顺序从顺磁性改变为反铁磁性。
碲化铋是一种灰色的粉末，分子式为Bi2Te3。碲化铋是个半导体暨热电材料，具有较好的导电性，但导热性较差。它是一种半导体，它与锑或硒合金是高效率的热电材料，用于制冷或便携式发电。拓扑绝缘体表面态已在碲化铋被观察到。
二硒化钼是一种无机化合物，化学式为MoSe2。它的结构和二硫化钼相似。这一类化合物被称作过渡金属二硫属化物，简称TMDCs，即过渡金属与元素周期表上第16族的元素形成的化合物。相比于MoS2，MoSe2展现出更好的导电性。
非晶硅，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性将会显著衰退，这种特性被称为SWE效应。
拉弗斯相是具有AB2结构的金属间化合物相，其命名来自德国晶体化学家弗里茨·拉弗斯。这些相根据其空间结构进行分类，分别为立方晶系的MgCu2、六方晶系的MgZn2和六方晶系的MgNi2。后两种是六方晶系的独特排列方式，但具有相同的基础结构。通常，原子A的排列方式为金刚石、六方金刚石或类似结构，而原子B在A周围形成四面体，构成AB2结构。。因其不同寻常的物理或化学性质而在金属冶炼研究中受到很大关注，一些基础应用已经产生，但到目前为止，拉弗斯相的应用理论仍然缺乏。它的一个特征是有近乎完美的导电性，但在室温下不会发生塑形变形。
非晶硅，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性将会显著衰退，这种特性被称为SWE效应。
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