晶界 编辑
晶粒边界，简称晶界，指多晶材料中晶粒之间的接合区域。在结晶学中晶粒边界是一种二维的晶体缺陷。晶粒边界出现在结构相同方向不同的微晶区域里，通过化学腐蚀可以使之在晶体表面显现。晶粒边界有小角度晶界和大角度晶界之分。当两个微晶区域之间的角度差值大于15度时，我们称之为大角度晶界。大角度晶界阻碍了位错的形成，从而影响了相邻晶粒。因此大角度晶界对金属材料的机械特性影响显著。在大多数情况下，晶粒边界会导致强度的提高，也就是说细粒度晶体更加坚固，但是析出物同时也会削弱晶体强度。
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晶粒是指微小的或微米尺度的晶体。多晶体由许多不同大小和取向的晶粒组成，视不同之成长与加工过程，多晶体中的晶粒取向可能都均匀地随机分布形成随机织构，也可能表现出多数晶粒都朝某一特定取向，而形成特定的织构。多晶体内晶粒之间的接触区域称为晶界。粉粒与晶粒的意义不同，它可指由许多晶粒组成的多晶体粉末颗粒。
纳米晶体指晶粒为纳米尺寸的晶体材料，或具有晶体结构的纳米颗粒。一般晶粒尺寸小于100nm的材料才称为纳米晶体。纳米晶体具有很重要的研究价值。纳米晶体的电学和热力学性质显现出很强的尺寸依赖性，从而可以通过细致的制造过程来控制这些性质。纳米晶体能够提供单体的晶体结构，通过研究这些单体的晶体结构可以提供信息来解释相似材料的宏观样品的行为，而不用考虑复杂的晶界和其他晶体缺陷。尺寸小于10纳米的半导体纳米晶体通常被称为量子点。
单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的，或者可以说，在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。
单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的，或者可以说，在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。
背向散射电子绕射技术 是一种利用绕射电子束来鉴别样品结晶学方位的技术。挂载在扫描式电子显微镜中，倾斜角度约70度，加速后的电子束射入样品中，产生反弹的背向散射电子，经过表面晶体结构绕射，携带着样品表面的晶粒方位的资讯，进入探测器中，借此判断其每一颗晶粒的方向性。在知道每一颗晶粒的方位后，因此可用在判断晶界、相鉴别、晶粒方向、织构及应变的分析方法。
晶粒是指微小的或微米尺度的晶体。多晶体由许多不同大小和取向的晶粒组成，视不同之成长与加工过程，多晶体中的晶粒取向可能都均匀地随机分布形成随机织构，也可能表现出多数晶粒都朝某一特定取向，而形成特定的织构。多晶体内晶粒之间的接触区域称为晶界。粉粒与晶粒的意义不同，它可指由许多晶粒组成的多晶体粉末颗粒。
晶粒是指微小的或微米尺度的晶体。多晶体由许多不同大小和取向的晶粒组成，视不同之成长与加工过程，多晶体中的晶粒取向可能都均匀地随机分布形成随机织构，也可能表现出多数晶粒都朝某一特定取向，而形成特定的织构。多晶体内晶粒之间的接触区域称为晶界。粉粒与晶粒的意义不同，它可指由许多晶粒组成的多晶体粉末颗粒。