位错 编辑
位错，在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列。从几何角度看，位错属于一种晶体，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉于1905年提出。
1
相关
对晶体材料而言，当应力较小时，位错能够在晶格间移动。位错的这种运动引发了材料的塑性形变。而钉扎点的存在阻碍了位错的运动，故需要一个较大的应力才能使位错克服阻碍。材料因此表现出更大的强度。
在材料科学中，滑移系描述的是一组滑移面，以及与之对应的滑移方向。滑移方向容易产生位错，导致材料产生塑性变形。外力促使布拉菲晶格相对彼此互相滑动，并使得材料的结构发生变化。滑移的方向、大小由伯格斯矢量表示。
晶粒边界，简称晶界，指多晶材料中晶粒之间的接合区域。在结晶学中晶粒边界是一种二维的晶体缺陷。晶粒边界出现在结构相同方向不同的微晶区域里，通过化学腐蚀可以使之在晶体表面显现。晶粒边界有小角度晶界和大角度晶界之分。当两个微晶区域之间的角度差值大于15度时，我们称之为大角度晶界。大角度晶界阻碍了位错的形成，从而影响了相邻晶粒。因此大角度晶界对金属材料的机械特性影响显著。在大多数情况下，晶粒边界会导致强度的提高，也就是说细粒度晶体更加坚固，但是析出物同时也会削弱晶体强度。
晶粒边界，简称晶界，指多晶材料中晶粒之间的接合区域。在结晶学中晶粒边界是一种二维的晶体缺陷。晶粒边界出现在结构相同方向不同的微晶区域里，通过化学腐蚀可以使之在晶体表面显现。晶粒边界有小角度晶界和大角度晶界之分。当两个微晶区域之间的角度差值大于15度时，我们称之为大角度晶界。大角度晶界阻碍了位错的形成，从而影响了相邻晶粒。因此大角度晶界对金属材料的机械特性影响显著。在大多数情况下，晶粒边界会导致强度的提高，也就是说细粒度晶体更加坚固，但是析出物同时也会削弱晶体强度。
晶粒边界，简称晶界，指多晶材料中晶粒之间的接合区域。在结晶学中晶粒边界是一种二维的晶体缺陷。晶粒边界出现在结构相同方向不同的微晶区域里，通过化学腐蚀可以使之在晶体表面显现。晶粒边界有小角度晶界和大角度晶界之分。当两个微晶区域之间的角度差值大于15度时，我们称之为大角度晶界。大角度晶界阻碍了位错的形成，从而影响了相邻晶粒。因此大角度晶界对金属材料的机械特性影响显著。在大多数情况下，晶粒边界会导致强度的提高，也就是说细粒度晶体更加坚固，但是析出物同时也会削弱晶体强度。