背向散射电子绕射技术 是一种利用绕射电子束来鉴别样品结晶学方位的技术。挂载在扫描式电子显微镜中，倾斜角度约70度，加速后的电子束射入样品中，产生反弹的背向散射电子，经过表面晶体结构绕射，携带着样品表面的晶粒方位的资讯，进入探测器中，借此判断其每一颗晶粒的方向性。在知道每一颗晶粒的方位后，因此可用在判断晶界、相鉴别、晶粒方向、织构及应变的分析方法。
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织构是描述一个多晶材料中，原本应该是随机分布的结晶方位，却因为制程使得多数晶粒具有类似的结晶方位，称之为织构或是优选方位。一般来说，形成织构的原因通常是金属经过深抽、轧制或是挤型等加工程序，使得金属内部的晶粒往相同的方向排列，如镁合金在压延后就有强烈的方位。近期的发展中，亦有部分是透过薄膜成长而产生类似结晶方位的微观组织，亦可称之为织构。通常会用X光散射技术或是背向散射电子绕射技术去进行织构的分析。织构的产生会凸显出异向性，异向性为不同方位下的性质不同，若没有织构的影响，方位是随机的，其异向性会被抵销掉，若有织构，其特定方向的异向性就会特别凸显出来，如镁合金在方位有较强的强度，因此产生织构会使镁合金在此方向有较高的强度。
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