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短沟道效应
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短沟道效应是当
金属氧化物半导体场效应管
的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时,晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括
阈值电压
随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和
热载流子注入
。
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