金属氧化物半导体场效应管 编辑
金属氧化物半导体场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
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短沟道效应是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热载流子注入。