短沟道效应是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热载流子注入。
负偏置温度不稳定性是影响金属氧化物半导体场效晶体管可靠性的一个重要问题，它主要表现为阈值电压的偏移。也被列入半导体元件中，可靠度分析的重要指标。NBTI 效应是CMOS电路中PMOS在Gate给相对负偏压作用下出现的一种退化现象。包含了
亚阈值电流，或称亚阈值漏电流，是金属氧化物半导体场效晶体管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区时，源极和漏极之间的微量电流。
亚阈值电流，或称亚阈值漏电流，是金属氧化物半导体场效晶体管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区时，源极和漏极之间的微量电流。
在电子工程中，接地反弹是指与晶体管切换状态时，阈值电压呈现比当时接地环路更低电压的现象。接地反弹会造成逻辑门工作不稳定。
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