动态随机存取存储器

寄存器内存也称缓冲器内存，是一种在动态随机存取存储器模块与系统内存控制器之间有硬件暂存器的内存模块。这可以减少内存控制器上的电气负载，使用多个内存模块的单个系统将会更加稳定。为了区分，传统内存通常称之为无缓冲内存或非寄存器内存。当制造为DIMM时，寄存器内存模块称之为RDIMM, 非寄存器内存称之为UDIMM。

Rowhammer是一种对动态随机存取存储器攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC技术来防止这个问题的发生，而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制。

浮体效应是在SOI技术中实现的晶体管与体势相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流，造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应，即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应。

威刚科技股份有限公司，是台湾一家内存自有品牌公司。营业初期系以动态随机存取内存模组为主要产品线，其后投入闪存应用产品之开发。目前主要产品线，涵盖动态随机存取存储器及闪存型闪存及周边应用产品领域，包含内存模组、快闪记忆碟、记忆卡、固态硬盘及外接式硬盘。2018年创立XPG电竞品牌，产品线跨足键盘、鼠标、耳机、电源供应器、机壳与笔电等。

1988年内存芯片短缺是1988年电子工业界以美国为首出现的一次严重随机存取存储器集成电路短缺问题。短缺的芯片以动态随机存取存储器为主，256KbDRAM芯片的价格从1987年初的2美元上涨到最高10-12美元的现货市场价。1Mb芯片从9-10美元上涨到最高40美元。短缺广泛影响了整个计算机行业，使计算机整机与内存模块价格大幅上涨，计算机供货期明显延长，一些公司还被迫推迟了新产品的发布。受本次短缺波及的公司包括了所有主要的计算机厂商，不限于惠普、康柏、虹志电脑、苹果、太阳微系统、硅谷图形公司、DEC等。除了动态内存之外，静态随机存取存储器芯片也受波及，影响了任天堂与世嘉等电子游戏公司。任天堂游戏《塞尔达传说2：林克的冒险》因卡带SRAM芯片短缺而推迟上市。受短缺影响，日立制作所、富士通和三菱电机等日本半导体厂商取消假期，员工加班加点工作。

零电容随机存储器是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技术的浮体效应研发的。该技术已经被超微半导体许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。

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半导体存储器是一种用于数字数据存储的数字电路半导体器件，例如电脑内存。数据会存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体场效晶体管存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常见的随机存取存储器中其中一个是静态随机存取存储器，它在每个存储单元使用多个金属氧化物半导体场效晶体管，另一个是动态随机存取存储器，每个单元使用一个MOS晶体管和一个金属氧化物半导体场效晶体管。非挥发性内存使用浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管存储单元，每个单元由一个浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机存取的特性。

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