电容 - The mini wiki

表面安装技术，是一种电子装联技术，起源于1960年代，最初由美国IBM公司进行技术研发，之后于1980年代后期渐趋成熟。此技术是将电子元件，如电阻、电容、晶体管、集成电路等等安装到印刷电路板上，并通过钎焊形成电气联结。其使用之元件又被简称为表面安装元件。和通孔插装技术的最大不同处在于，表面安装技术不需为元件的针脚预留对应的贯穿孔，而表面安装技术的元件尺寸也比通孔插装技术的微小许多。借由应用表面黏着技术可以增加整体处理速度，但由于零件的微小化及密度的增加电路板的缺陷风险因而随之提高，所以在任何表面黏着技术的电路板制造过程，错误侦测已经变成必要的一环。

电容器，是将电能储存在电场中的被动元件电子元件。电容器的储能特性可以用电容表示。在电路中邻近的导体之间即存在电容，而电容器是为了增加电路中的电容量而加入的电子元件。

动态随机存取存储器是一种半导体内存，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”内存。相对来说，静态内存只要存入数据后，即使不刷新也不会遗失记忆。

Smartspice是一个高品质的商用级别通用电路仿真软件，用于非线性DC、非线性瞬态和线性AC分析。 Smartspice通过同步计算所有电路组件的行为来仿真电路。通过其众多的可靠模型，SMARTSPICE 基于物理特性和电学参数的仿真来仿真复杂电路的行为。其可仿真包含由下列元件组成的电路和子电路，包括电阻、电容、电感器、互感器、独立电压、电流源、依赖电源、传输线、开关，以及5种最常见的半导体器件：二极管、结型场效应管、双极性晶体管、金属氧化物半导体场效晶体管和金属半导体场效应管。

动态随机存取存储器是一种半导体内存，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”内存。相对来说，静态内存只要存入数据后，即使不刷新也不会遗失记忆。

在电子学中，电容耦合是耦合的一种，它借助电路之间的电容来进行能量的传输。这种耦合设计可以产生合乎预期的效应，亦可能产生一些偶然的效应。电容耦合通常是在串联电路中安置电容器来实现信号的耦合。

C-V特性曲线是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结或者PN结或者场效应管来得到耗尽层。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。

动态随机存取存储器是一种半导体内存，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”内存。相对来说，静态内存只要存入数据后，即使不刷新也不会遗失记忆。

渗漏是能量或物质扩散到容器外面的过程。在化学，渗漏带有化学药品从容器漏出的意思。在电子学，渗漏指能量逐渐从储有高化学能的电池或电容漏出。在水文学，渗漏指水渗入地表土壤，受重力影响向下移动现象

SOI全名为Silicon On Insulator，是指硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉，并减少电流漏电成为省电的IC，在制程上还可以省略部分光罩以节省成本，因此不论在制程上或是电路上都有其优势。此外，在SOI晶圆本身基板的阻抗值的部分也会影响到元件的表现，因此后来也有公司在基板上进行阻抗值的调整，达到射频元件特性的提升。原本应通过交换器的电子，有些会钻入硅中造成浪费；SOI可防止电子流失，与补强一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺点。摩托罗拉宣称中央处理器可因此提升时脉20%，并减低耗电30%。除此之外，还可以减少一些有害的电气效应。还有一点，可以说是很多超频玩家所感兴趣的，那就是它的工作温度可高达300°C，减少过热的问题。