半导体装置 编辑
半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。
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物理气相沉积是一种工业制造上的工艺，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术，即真空镀膜，多用在切削工具与各种模具的表面处理，以及半导体装置的制作工艺上。
晶体闸流管，简称，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器，中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流控制大电流作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
物理气相沉积是一种工业制造上的工艺，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术，即真空镀膜，多用在切削工具与各种模具的表面处理，以及半导体装置的制作工艺上。
晶体闸流管，简称，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器，中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流控制大电流作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
晶体闸流管，简称，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器，中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流控制大电流作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
晶体闸流管，简称，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器，中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流控制大电流作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
晶体闸流管，简称，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器，中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流控制大电流作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。