反应离子刻蚀 编辑
反应离子蚀刻是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到蚀刻的目的。气体在低压力环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。
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氟甲烷，也称为甲基氟、氟利昂41、HFC-41，其化学式为碳氢3氟，在常温常压下是无毒、可液化的可燃气体，是甲烷的一氟取代物。氟甲烷用在半导体及电子产品的制程中，在射频场下氟甲烷会溶解氟离子，可选择性的蚀刻硅化合物的薄膜，即反应离子刻蚀。
氟甲烷，也称为甲基氟、氟利昂41、HFC-41，其化学式为碳氢3氟，在常温常压下是无毒、可液化的可燃气体，是甲烷的一氟取代物。氟甲烷用在半导体及电子产品的制程中，在射频场下氟甲烷会溶解氟离子，可选择性的蚀刻硅化合物的薄膜，即反应离子刻蚀。