热发射是一种通过热激发发射载流子的方式。这个现象发生的原因是，提供给载流子的热能使它们能够克服束缚势能。通过热发射产生的载流子可能是电子或者离子。发射载流子之后原始区域会产生一个于被发射载流子总和大小相同、极性相反的载流子。不过，如果发射极连接在电池上，则物体上产生的电荷会立即被电池提供的载流子中和掉，最终发射极会达到电平衡，重新回到之前的状态。产生电子的热发射被称为热电子发射。
固态电子器件是指那些完全使用固体电子材料、并利用束缚于其内电子或者其他载流子导电的电路器件。这一概念经常用来与早期的技术如真空管等作比较。并且，“固态”一词还特别地将电子-机械综合设备，例如继电器、开关和硬盘，和其他具有活动件的设备排除开外。虽然固态电子器件材料包括结晶体、多晶体、无定形体，并且包括导体、绝缘体和半导体，固态电子器件还是以结晶半导体为主。
耗尽层，又称空乏区、阻挡层、势垒区，是指PN结中在漂移速度和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。
热载流子注入是固态电子器件中发生一个现象，当电子或空穴获得足够的动能后，它们就能够突破有限位势垒的约束。这里“热”这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度，而非器件本身的温度。由于载流子被束缚在金属氧化物半导体场效晶体管的栅极电介质层中，晶体管的开关性能可以被永久地改变，热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制
速度过冲是指载流子从源极到汲极的通过时间小于发射一个声子时间的现象。因此其速度会超过饱和电子速率，会造成较快的场效应管切换。当减小闸极宽度来调升切换速度时，就是利用这类的特性。
半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质或材料。半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷载流子的浓度，使得电导率上升、电阻率下降；在绝对零度时，成为绝缘体。依有无加入掺杂剂，半导体可分为：本征半导体、杂质半导体。
半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质或材料。半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷载流子的浓度，使得电导率上升、电阻率下降；在绝对零度时，成为绝缘体。依有无加入掺杂剂，半导体可分为：本征半导体、杂质半导体。
杂质半导体又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。
舒勃尼科夫-德哈斯效应是指在低温物理学和强磁场条件下，材料的电导率随磁场变化出现振荡的现象，最初由万德尔·德哈斯和列夫·舒勃尼科夫于1930年发表。舒勃尼科夫-德哈斯效应是物质内在的量子力学性质在宏观上的一种表现。舒勃尼科夫-德哈斯效应也常常被用于确定载流子的有效质量。
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