光刻胶，亦称为光阻或光阻剂，是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于积体电路和离散元件的细微图形加工。
光罩：在制作集成电路的过程中，利用光刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制于晶圆上，必须透过光罩作用的原理。比如冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。
光刻胶，亦称为光阻或光阻剂，是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于积体电路和离散元件的细微图形加工。
柏德范全名阿尔方斯－路易斯·波艾特威，法国化学家、土木工程师、摄影先驱。1856年，他发现了重铬酸盐明胶的光敏特性，并发明了光刻和珂罗版工艺，被描述为“摄影史上最伟大的人物之一”。
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接面便叫做肖特基二极管接触。典型的欧姆接触是溅射或者蒸发的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
电子束曝光指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。
多重图形是指一种在半导体制造过程中的技术。在光刻过程中使用了多重图形曝光增强了制作图形的密度。
电子束曝光指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。
微带辐射器的概念首先是由Deschamps在1953年提出来的，但是二十年之后当较好的理论模型被提出之后，以及对覆铜或覆金的介质基片的光刻发展之后，实际的天线才制作出来。最早的实际的微带天线是Howell和Munson在二十世纪七十年代初期研制成的，之后微带天线得到了广泛的研究和发展，从而使微带天线得到了多种应用，并且在微波天线这个领域成为一个分立的整体。
光刻胶，亦称为光阻或光阻剂，是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于积体电路和离散元件的细微图形加工。
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